1. <em id="xzso9"></em>
      <rp id="xzso9"><ruby id="xzso9"><input id="xzso9"></input></ruby></rp>
    2. <rp id="xzso9"><span id="xzso9"></span></rp>
      網站首頁 公司簡介 新聞中心 產品展示 企業文化 聯系我們

      A、玻璃行業專用碳化硅電熱元件
      B、玻璃纖維坩堝爐專用硅碳棒
      C、氮化硅燒結爐專用碳化硅電熱元件
      D、通用型碳化硅電熱元件
      E、抗腐蝕粗端部硅碳棒

        電話:0533-8179050
        傳真:0533-6588997
        手機:13869320298
        網址:www.evenaim.com
        地址:淄博市周村區周隆路6699號(309國道北北旺路段)
       
        
            新聞中心 網站首頁 >> 公司新聞
       
      還原爐不同運行階段的硅碳棒徑和生長速度
        利用該硅碳棒徑檢測裝置對還原爐完整生長過程中各階段的硅碳棒徑和生長速度進行跟蹤監測,并選取運行效果較好的共9爐次進行了匯總。根據還原爐硅硅碳棒生長控制的要求,早期由于硅碳棒直徑細,表面積小,所以爐內輻射熱量小,硅碳棒表面溫度需控制較高,硅碳棒沉積生長較快;后期由于硅碳棒直徑大,輻射熱量大,為保證表面的致密,硅碳棒表面溫度需控制較
      低,硅碳棒生長速度慢。根據實際檢測數據,還原爐內不同階段多晶硅生長速度范圍:前期為1. 3-1.Smm/s,中期為1. 0一1. 2 mm/s,后期為0. 8-1.0 mm/s,硅碳棒徑和生長速度趨勢如圖4所示。還原爐硅碳棒生長過程的分析。
        還原爐運行的主要優化控制目標為多晶硅產品的單位還原電耗低、單位物料消耗低,在獲得硅碳棒徑、生長速度數據的基礎上,可根據功率、物料流量等控制參數計算瞬時電耗、瞬時原料消耗,從而了解到不同生長階段的運行效果情況。筆者選取了較具代表性的2爐次,結合電壓、電流、功率、物料流量等控制參數及計算的瞬時電耗、瞬時原料消耗等進行分析,各參數趨勢如圖5所示。www.evenaim.com
      上一篇:硅碳棒直徑是反應沉積效果的重要參數         下一篇:硅碳棒電熱元件制造業的發展速度
       
       
      網站首頁 | 公司簡介 | 新聞中心 | 產品展示 | 企業文化 | 聯系我們 | sml地圖 |

      友情鏈接:硅碳棒 硅碳棒廠家 橋梁模板 橋梁模板租賃 蝸輪蝸桿 山東橡膠制品廠家 農林保水劑 導熱硅膠片 倉儲籠 防水套管 氟塑料泵 玻璃工藝品 ir孔透過率測試儀

      版權所有:淄博群強電熱元件有限公司 電話:0533-8179050 傳真:0533-6588997 手機:13869320298 網址: www.evenaim.com 地址:淄博市周村區周隆路6699號(309國道北北旺路段)魯ICP備11003558號

      亚洲AV午夜福利无码精品一区,97精品自在拍精选视频,国产人妖一区二区在线观看,亚洲刺激大片每天